宏微科技:1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证,部分产品已形成小批量出货
来源:领异标新网
时间:2025-05-06 15:47:00
当前位置:首页 > 西城秀树 > 宏微科技:1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证,部分产品已形成小批量出货 正文
标签:
责任编辑:何洁